同兴达新获得实用新型专利授权：“一种通用Oncell假压FPC结构”
专利摘要：本实用新型公开一种通用Oncell假压FPC结构，包括：FPC本体，所述FPC本体上形成有线路、用于绑定的接口和模块插接区，所述模块插接区上包括若干插接排针孔，所述模块插接区处通过可插拔方式设有器件模块，所述器件模块包括有TP IC。本实用新型的有益效果在于：将原有的假压FPC做成分体结构，使得包括TP IC在内的元器件是集合成器件模块以通用化的插接方式设置在假压FPC本体上的，可以方便实现器件模块或FPC本体的更换，有利于节约设计资源和节省成本，降低了TP IC供应短缺所造成的影响。
今年以来同兴达新获得专利授权4个。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1